19世紀80年代時電力和照明技術的逐漸普及，徹底改變了人類的文明發展。經過百年的科技演進，人類終於在P-型氮化鎵光電半導體技術獲得突破，並成功展示了氮化鎵藍光發光二極體。此項技術使得固態照明的效能更近一步的提升，再次推進了文明巨輪的轉動。事實上，氮化鎵藍光材料早在1970年代便受到注目，當時在美國電器製造商RCA的研究員J. I. Pankove 就已經發表氮化鎵材料的電激發放光 (J. I. Pankove, J. Lumin. 7, 114 (1973).)。然而當時因為P-型氮化鎵材料技術一直沒辦法克服，做不出好的p-n接面和發光二極體，所以此題目就慢慢被人遺忘。一直到於1988年於日本的赤崎勇教授和其學生天野浩在氮化鎵材料成長和P-型氮化鎵參雜活化上獲得了重大突破(H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki & Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986). Hiroshi Amano et al., Jpn. J. Appl. Phys. 28 L2112, 1989)才使得高性能氮化鎵藍、紫光發光二極體得以問世。除了P-型氮化鎵的材料本身外，其上面的金屬歐姆接觸的製作也是相當特殊。雖然歐姆接觸在一般的元件教課書中通常不怎麼起眼，常常一筆帶過。但試想，若沒有低電阻的P-型氮化鎵歐姆接觸，如何能讓實驗室所展示的藍、紫光發光二極體元件和外界流動的電流溝通，進一步邁向商品化。傳統的P-型氮化鎵歐姆接觸是使用相當薄的鎳、金所形成，不僅透光率低，而且在可靠度上有些障礙。        這樣的歐姆障礙，在2000年左右，終於由張守進教授與他所合作（許進恭、賴韋志教授）的研究團隊共同突破，他們使用了穿隧接面將惱人的P-型氮化鎵表面反轉成n+型，並使用ITO透明電極使得p-n接面所放出的螢光不再被遮擋。(Solid-State Electronics, vol. 43, Issue 11, 1999, pp. 2081-2084.、IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, No. 10, 2001, pp. 849-853.、IEEE Electron Devices, Vol. 50, No. 11, 2001, pp. 2208-2212)如今，這種歐姆接觸技術已經被大量生產，並在商品化的氮化鎵發光二極體中處處可見。據筆者們了解，張守進教授在充滿荊棘的研究之路上也和所有知名的研究者一般，執著努力，永不輕言放棄，並克服了無數的試煉，就如同列車穿過了黑暗隧道般終於迎向洞口的光明。我們今天很高興能夠訪問到張守進教授，聽他分享人生的精采故事。

本期光電長河人物專訪，為各位訪問到「臺灣光學薄膜先驅」－李正中榮譽教授。李教授在光學薄膜研究領域貢獻斐然，培訓鍍膜專業人員並出版《薄膜光學與鍍膜技術》專書，該書不僅深獲科技部肯定，更吸引日本人取經，重要性不言而喻。除此之外，李教授在研究與教育領域的深耕，更深獲國際肯定。除了2016年榮獲"The SPIE Educator Award"，更於2018年獲頒"The OSA Sang Soo Lee Award"，成為亞洲首位同時獲得兩項殊榮的傑出學者。

國立臺灣大學電機工程學系 孫啟光教授誠徵行政助理1名

祁甡教授現為國立陽明交通大學光電工程學系和元智電機工程學系榮譽退休教授。本期專題邀請四位學者分別撰文敘述祁教授對開啟臺灣光電學門的努力、在學術界與產業界的貢獻、和對學生的言教身教。由這幾篇文章，祁教授不僅啓蒙臺灣光電，也是人文和理性兼具的典範。註：本專訪感謝四位師長撥冗撰文，特別感謝元智大學電機工程學系溫盛發教授費心統整。周勝次博士 華光交通號誌器材股份有限公司 董事長
賴暎杰博士 國立陽明交通大學光電工程學系 教授
溫盛發博士 元智大學電機工程學系 教授
徐銓博士 擎寶科技（Labfront）研究員

本會秘書處人事異動。